PNY Electronics PNY 2GB
Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB

PNY Electronics PNY 2GB vs Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB

Pontuação geral
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PNY Electronics PNY 2GB

PNY Electronics PNY 2GB

Pontuação geral
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Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB

Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB

Diferenças

  • Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
    27 left arrow 28
    Por volta de 4% menor latência
  • Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
    15.3 left arrow 13.8
    Valor médio nos testes
  • Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
    11.6 left arrow 8.4
    Valor médio nos testes
  • Maior largura de banda de memória, mbps
    17000 left arrow 10600
    Por volta de 1.6 maior largura de banda

Especificações

Lista completa de especificações técnicas
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Características principais
  • Tipo de memória
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latência em PassMark, ns
    27 left arrow 28
  • Velocidade de leitura, GB/s
    13.8 left arrow 15.3
  • Velocidade de escrita, GB/s
    8.4 left arrow 11.6
  • Largura de banda de memória, mbps
    10600 left arrow 17000
Other
  • Descrição
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
  • Tempos / Velocidade do relógio
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
    2274 left arrow 2648
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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