RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Compara
PNY Electronics PNY 2GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Puntuación global
PNY Electronics PNY 2GB
Puntuación global
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
PNY Electronics PNY 2GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
18
27
En -50% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
20.4
13.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
17.2
8.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
PNY Electronics PNY 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
18
Velocidad de lectura, GB/s
13.8
20.4
Velocidad de escritura, GB/s
8.4
17.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2274
3814
PNY Electronics PNY 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVKA 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston HP26D4S9S8MHF-8 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston 9905665-011.A00G 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Avant Technology J642GU42J5213N4 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston 9905622-057.A00G 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Corsair CM4S16GL3200K18K2 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVRB 8GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Kingston 9905670-012.A00G 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FDR1 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRK 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link