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PNY Electronics PNY 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB

PNY Electronics PNY 2GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB

総合得点
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PNY Electronics PNY 2GB

PNY Electronics PNY 2GB

総合得点
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Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

PNY Electronics PNY 2GB 考慮すべき理由
PNY Electronics PNY 2GB
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Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB 考慮すべき理由
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    18 left arrow 27
    周辺 -50% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    20.4 left arrow 13.8
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    17.2 left arrow 8.4
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 10600
    周辺 1.81 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
PNY Electronics PNY 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    27 left arrow 18
  • 読み出し速度、GB/s
    13.8 left arrow 20.4
  • 書き込み速度、GB/秒
    8.4 left arrow 17.2
  • メモリ帯域幅、mbps
    10600 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2274 left arrow 3814

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Kingston 9905702-121.A00G 8GB
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メモリRAM
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
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G Skill Intl F4-4266C19-8GTZR 8GB
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メモリRAM
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
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SK Hynix HMA81GU6DJR8N-VK 8GB
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Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
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Corsair CM4X16GC3200C16K4 16GB
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Kingston 9965662-019.A00G 32GB
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Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
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