PNY Electronics PNY 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB

PNY Electronics PNY 2GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB

Punteggio complessivo
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PNY Electronics PNY 2GB

PNY Electronics PNY 2GB

Punteggio complessivo
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Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB

Differenze

  • Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
    18 left arrow 27
    Intorno -50% latenza inferiore
  • Velocità di lettura più elevata, GB/s
    20.4 left arrow 13.8
    Valore medio nei test
  • Velocità di scrittura più elevata, GB/s
    17.2 left arrow 8.4
    Valore medio nei test
  • Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
    19200 left arrow 10600
    Intorno 1.81 larghezza di banda superiore

Specifiche tecniche

Elenco completo delle specifiche tecniche
PNY Electronics PNY 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Caratteristiche principali
  • Tipo di memoria
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latenza in PassMark, ns
    27 left arrow 18
  • Velocità di lettura, GB/s
    13.8 left arrow 20.4
  • Velocità di scrittura, GB/s
    8.4 left arrow 17.2
  • Larghezza di banda della memoria, mbps
    10600 left arrow 19200
Other
  • Descrizione
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • Temporizzazioni / Velocità di clock
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Classifica PassMark (più sono, meglio è)
    2274 left arrow 3814
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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