RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G26S8KRRGB16 8GB
Compara
PNY Electronics PNY 2GB vs V-Color Technology Inc. TL48G26S8KRRGB16 8GB
Puntuación global
PNY Electronics PNY 2GB
Puntuación global
V-Color Technology Inc. TL48G26S8KRRGB16 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
PNY Electronics PNY 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
59
En 54% menor latencia
Razones a tener en cuenta
V-Color Technology Inc. TL48G26S8KRRGB16 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.7
13.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.5
8.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
PNY Electronics PNY 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G26S8KRRGB16 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
59
Velocidad de lectura, GB/s
13.8
17.7
Velocidad de escritura, GB/s
8.4
8.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2274
2225
PNY Electronics PNY 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G26S8KRRGB16 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
PNY Electronics PNY 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G26S8KRRGB16 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FAD1 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston XJV223-MIE-NX 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9965589-006.E00G 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZR 16GB
Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB
Corsair CMD64GX4M8A2800C16 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
AMD R9S48G3206U2S 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link