Comparación de la memoria RAM Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB

Puntuación global

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB

Puntuación global

Diferencias Especificaciones Comentarios

Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB

Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns

29 31

En 6% menor latencia

Razones a tener en cuenta
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB

Mayor velocidad de lectura, GB/s

16.9 12.1

Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s

12.4 7.8

Valor medio en las pruebas

Lista completa de especificaciones técnicas

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB

Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB

Principales características

Other

Descripción

PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 , 1.20000005, CAS Supported:
Tiempos / Velocidad del reloj

9-9-9-24 / 1600 MHz no data
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)

2177 3043

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns