Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB

Puntuación global
star star star star star
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB

Puntuación global
star star star star star
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB

Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB

Diferencias

  • Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
    29 left arrow 31
    En 6% menor latencia
  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    16.9 left arrow 12.1
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    12.4 left arrow 7.8
    Valor medio en las pruebas

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latencia en PassMark, ns
    29 left arrow 31
  • Velocidad de lectura, GB/s
    12.1 left arrow 16.9
  • Velocidad de escritura, GB/s
    7.8 left arrow 12.4
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    12800 left arrow no data
Other
  • Descripción
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow , 1.20000005, CAS Supported:
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow no data
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    2177 left arrow 3043
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Últimas comparaciones