Confronto tra le RAM Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB

Punteggio complessivo

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB

Punteggio complessivo

Differenze Specifiche tecniche Commenti

Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB

Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns

29 31

Intorno 6% latenza inferiore

Motivi da considerare
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB

Velocità di lettura più elevata, GB/s

16.9 12.1

Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s

12.4 7.8

Valore medio nei test

Elenco completo delle specifiche tecniche

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB

Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB

Caratteristiche principali

Other

Descrizione

PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 , 1.20000005, CAS Supported:
Temporizzazioni / Velocità di clock

9-9-9-24 / 1600 MHz no data
Classifica PassMark (più sono, meglio è)

2177 3043

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns