Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB

Punteggio complessivo
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB

Punteggio complessivo
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Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB

Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB

Differenze

  • Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
    29 left arrow 31
    Intorno 6% latenza inferiore
  • Velocità di lettura più elevata, GB/s
    16.9 left arrow 12.1
    Valore medio nei test
  • Velocità di scrittura più elevata, GB/s
    12.4 left arrow 7.8
    Valore medio nei test

Specifiche tecniche

Elenco completo delle specifiche tecniche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
Caratteristiche principali
  • Tipo di memoria
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latenza in PassMark, ns
    29 left arrow 31
  • Velocità di lettura, GB/s
    12.1 left arrow 16.9
  • Velocità di scrittura, GB/s
    7.8 left arrow 12.4
  • Larghezza di banda della memoria, mbps
    12800 left arrow no data
Other
  • Descrizione
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow , 1.20000005, CAS Supported:
  • Temporizzazioni / Velocità di clock
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow no data
  • Classifica PassMark (più sono, meglio è)
    2177 left arrow 3043
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