Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB

Wynik ogólny
star star star star star
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB

Wynik ogólny
star star star star star
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB

Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB

Różnice

  • Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
    29 left arrow 31
    Wokół strony 6% niższe opóźnienia
  • Większa szybkość odczytu, GB/s
    16.9 left arrow 12.1
    Średnia wartość w badaniach
  • Większa szybkość zapisu, GB/s
    12.4 left arrow 7.8
    Średnia wartość w badaniach

Specyfikacje

Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
Główna charakterystyka
  • Typ pamięci
    DDR3 left arrow DDR4
  • Opóźnienie w PassMark, ns
    29 left arrow 31
  • Prędkość odczytu, GB/s
    12.1 left arrow 16.9
  • Prędkość zapisu, GB/s
    7.8 left arrow 12.4
  • Szerokość pasma pamięci, mbps
    12800 left arrow no data
Other
  • Opis
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow , 1.20000005, CAS Supported:
  • Taktowanie / szybkość zegara
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow no data
  • Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
    2177 left arrow 3043
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Najnowsze porównania