RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Gesamtnote
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
29
31
Rund um 6% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.9
12.1
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.4
7.8
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
29
31
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.1
16.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.8
12.4
Speicherbandbreite, mbps
12800
no data
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
, 1.20000005, CAS Supported:
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
no data
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2177
3043
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB RAM-Vergleiche
G Skill Intl F3-12800CL9-4GBRL 4GB
Avant Technology W644GU44J2320NH 32GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB RAM-Vergleiche
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KSRGB15 8GB
SK Hynix HMA851U6JJR6N-VK 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3300C16 4GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Apacer Technology 78.CAGSZ.4070B 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
A-DATA Technology DDR4 2133 2OZ 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMW128GX4M4E3200C16 32GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 9905625-097.A00G 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GIS 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Corsair CM4X32GC3200C16K2E 32GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GFX 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDR2 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVK 16GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link