Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB

Gesamtnote
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB

Gesamtnote
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Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB

Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB

Unterschiede

  • Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
    29 left arrow 31
    Rund um 6% geringere Latenzzeit
  • Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
    16.9 left arrow 12.1
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    12.4 left arrow 7.8
    Durchschnittswert bei den Tests

Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    29 left arrow 31
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    12.1 left arrow 16.9
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    7.8 left arrow 12.4
  • Speicherbandbreite, mbps
    12800 left arrow no data
Other
  • Beschreibung
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow , 1.20000005, CAS Supported:
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow no data
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    2177 left arrow 3043
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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