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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
総合得点
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
総合得点
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
29
31
周辺 6% 低遅延
考慮すべき理由
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
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読み出し速度の高速化、GB/s
16.9
12.1
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
12.4
7.8
テスト平均値
仕様
技術仕様の完全リスト
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
29
31
読み出し速度、GB/s
12.1
16.9
書き込み速度、GB/秒
7.8
12.4
メモリ帯域幅、mbps
12800
no data
Other
商品説明
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
, 1.20000005, CAS Supported:
タイミング / クロック速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
no data
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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