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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB

総合得点
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB

総合得点
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Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB

Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB 考慮すべき理由
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    29 left arrow 31
    周辺 6% 低遅延
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB 考慮すべき理由
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    16.9 left arrow 12.1
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    12.4 left arrow 7.8
    テスト平均値

仕様

技術仕様の完全リスト
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    29 left arrow 31
  • 読み出し速度、GB/s
    12.1 left arrow 16.9
  • 書き込み速度、GB/秒
    7.8 left arrow 12.4
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow no data
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow , 1.20000005, CAS Supported:
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow no data
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2177 left arrow 3043

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AMD AE34G1601U1 4GB
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Golden Empire CL16-16-16 D4-2800 8GB
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メモリRAM
Ramaxel Technology RMSA3300ME78HBF-2666 16GB
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メモリRAM
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Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB
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メモリRAM
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
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Kingston KVR26N19D8/16 16GB
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メモリRAM
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
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Apacer Technology 78.CAGR9.40C0B 8GB
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メモリRAM
AMD R5316G1609U2K 8GB
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Apacer Technology 78.B1GS6.AUC0B 4GB
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Essencore Limited KD48GU88C-26N190A 8GB
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