Comparación de la memoria RAM Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB

Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB

Puntuación global

Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB

Puntuación global

Diferencias Especificaciones Comentarios

Razones a tener en cuenta
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB

Mayor velocidad de lectura, GB/s

3 20.4

Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s

2,069.2 17.2

Valor medio en las pruebas

Razones a tener en cuenta
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB

Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns

18 106

En -489% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps

19200 5300

En 3.62 mayor ancho de banda

Lista completa de especificaciones técnicas

Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB

Principales características

Other

Descripción

PC-5300, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj

no data 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)

734 3814

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns