RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Confronto
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Punteggio complessivo
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Punteggio complessivo
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
20.4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,069.2
17.2
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
18
106
Intorno -489% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
5300
Intorno 3.62 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
106
18
Velocità di lettura, GB/s
3,273.7
20.4
Velocità di scrittura, GB/s
2,069.2
17.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
19200
Other
Descrizione
PC-5300, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
no data
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
734
3814
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB Confronto tra le RAM
Qimonda 72T128401EFA3SC2 512MB
Kingston KP6FH5-MIE 32GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3733 C17 Series 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBD2 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FB 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
Samsung M393B1K70CHD-CH9 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GRS 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD2 4GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22S/8G 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMV4GX4M1A2666C18 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FADP 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
SK Hynix HMAA2GU6AJR8N-XN 16GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link