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Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB

Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB

総合得点
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Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB

Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB

総合得点
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Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB 考慮すべき理由
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    3 left arrow 20.4
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    2,069.2 left arrow 17.2
    テスト平均値
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB 考慮すべき理由
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    18 left arrow 106
    周辺 -489% 低遅延
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 5300
    周辺 3.62 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    106 left arrow 18
  • 読み出し速度、GB/s
    3,273.7 left arrow 20.4
  • 書き込み速度、GB/秒
    2,069.2 left arrow 17.2
  • メモリ帯域幅、mbps
    5300 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC-5300, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • タイミング / クロック速度
    no data left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
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