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Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
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Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Pontuação geral
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Pontuação geral
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
20.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,069.2
17.2
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
18
106
Por volta de -489% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
5300
Por volta de 3.62 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
106
18
Velocidade de leitura, GB/s
3,273.7
20.4
Velocidade de escrita, GB/s
2,069.2
17.2
Largura de banda de memória, mbps
5300
19200
Other
Descrição
PC-5300, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
no data
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
734
3814
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB Comparações de RAM
Qimonda 72T128401EFA3SC2 512MB
Kingston KP6FH5-MIE 32GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
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Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
V-GEN D4H4GS24A8 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Crucial Technology BLT16G4D30BET4.C16FD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M393A2K40CB1-CRC 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFX 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMK16GX4M4B3733C17 4GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology BLS16G4D30CEST.16FD 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FAD 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD1 4GB
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