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Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6BFR8C-H9 2GB
Compara
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6BFR8C-H9 2GB
Puntuación global
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6BFR8C-H9 2GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
28
En 7% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.5
10.5
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6BFR8C-H9 2GB
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Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.4
7.8
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6BFR8C-H9 2GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR3
Latencia en PassMark, ns
26
28
Velocidad de lectura, GB/s
13.5
10.5
Velocidad de escritura, GB/s
7.8
8.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
10600
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1932
1570
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Frequency (Mhz) *
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