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Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6BFR8C-H9 2GB

Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6BFR8C-H9 2GB

総合得点
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Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB

Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB

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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6BFR8C-H9 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6BFR8C-H9 2GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB 考慮すべき理由
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    26 left arrow 28
    周辺 7% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    13.5 left arrow 10.5
    テスト平均値
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6BFR8C-H9 2GB 考慮すべき理由
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6BFR8C-H9 2GB
バグを報告する
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    8.4 left arrow 7.8
    テスト平均値

仕様

技術仕様の完全リスト
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6BFR8C-H9 2GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR3
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    26 left arrow 28
  • 読み出し速度、GB/s
    13.5 left arrow 10.5
  • 書き込み速度、GB/秒
    7.8 left arrow 8.4
  • メモリ帯域幅、mbps
    10600 left arrow 10600
Other
  • 商品説明
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 left arrow PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 7-7-7-20 / 1333 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    1932 left arrow 1570

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