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Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6BFR8C-H9 2GB
Comparez
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6BFR8C-H9 2GB
Note globale
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6BFR8C-H9 2GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
28
Autour de 7% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
13.5
10.5
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6BFR8C-H9 2GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.4
7.8
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6BFR8C-H9 2GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR3
Latence dans PassMark, ns
26
28
Vitesse de lecture, GB/s
13.5
10.5
Vitesse d'écriture, GB/s
7.8
8.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
10600
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1932
1570
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB Comparaison des RAM
Nanya Technology M2S2G64CB88G5N-DI 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6BFR8C-H9 2GB Comparaison des RAM
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G9P1 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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