RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FF 8GB
Compara
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FF 8GB
Puntuación global
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Puntuación global
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FF 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FF 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
25
En -4% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.3
16.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.1
10.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FF 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
25
24
Velocidad de lectura, GB/s
16.1
16.3
Velocidad de escritura, GB/s
10.1
13.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2764
2850
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Comparaciones de la memoria RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FF 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BL32G36C16U4BL.M16FB 32GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Mushkin MRX4U300GJJM16G 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Samsung M386A8K40BM1-CRC 64GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston LV32D4S2S8HD-8 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston KMKYF9-MIH 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston 9965589-033.D00G 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRSA 16GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Kingston 9905622-075.A00G 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link