RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FF 8GB
Comparez
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FF 8GB
Note globale
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Note globale
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FF 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FF 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
24
25
Autour de -4% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.3
16.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.1
10.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FF 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
25
24
Vitesse de lecture, GB/s
16.1
16.3
Vitesse d'écriture, GB/s
10.1
13.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2764
2850
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Comparaison des RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FF 8GB Comparaison des RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Corsair CM4X16GE2400Z16K4 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GFX 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMK64GX4M4C3000C16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston HP26D4U9S8MD-8 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FF 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CM4X16GC3000C16K8 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMV32GX4M1A2666C18 32GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link