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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FF 8GB
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Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FF 8GB
総合得点
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
総合得点
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FF 8GB
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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
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考慮すべき理由
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FF 8GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
24
25
周辺 -4% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
16.3
16.1
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
13.1
10.1
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
19200
12800
周辺 1.5 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FF 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
25
24
読み出し速度、GB/s
16.1
16.3
書き込み速度、GB/秒
10.1
13.1
メモリ帯域幅、mbps
12800
19200
Other
商品説明
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
タイミング / クロック速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2764
2850
Samsung 1600 CL10 Series 8GB RAMの比較
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FF 8GB RAMの比較
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
最新の比較
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Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
SK Hynix HMT451U6BFR8A-PB 4GB
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Apacer Technology 78.BAGNF.40C0B 4GB
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Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C22-8GRS 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2133C8 4GB
Kingston 9905702-400.A00G 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Kingston 9965662-012.A01G 16GB
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