Comparación de la memoria RAM Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB

Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB

Puntuación global

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Puntuación global

Diferencias Especificaciones Comentarios

Razones a tener en cuenta
Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns

25 45

En 44% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s

16.1 11.7

Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s

10.1 8.4

Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps

12800 1900

En 6.74% mayor ancho de banda

Razones a tener en cuenta
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB

Lista completa de especificaciones técnicas

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB

Principales características

Other

Descripción

PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 PC4-1900, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj

9-9-9-24 / 1600 MHz no data
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)

2764 2387

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns