RAM-Vergleich Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB

Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB

Gesamtnote

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Gesamtnote

Unterschiede Spezifikationen Kommentare

Gründe für die Berücksichtigung
Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns

25 45

Rund um 44% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s

16.1 11.7

Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s

10.1 8.4

Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps

12800 1900

Rund um 6.74% höhere Bandbreite

Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB

Wichtigste Merkmale

Other

Beschreibung

PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 PC4-1900, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit

9-9-9-24 / 1600 MHz no data
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)

2764 2387

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns