Porównanie pamięci RAM Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB

Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB

Wynik ogólny

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Wynik ogólny

Różnice Specyfikacje Uwagi

Powody do rozważenia
Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns

25 45

Wokół strony 44% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s

16.1 11.7

Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s

10.1 8.4

Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps

12800 1900

Wokół strony 6.74% większa szerokość pasma

Powody do rozważenia
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB

Pełna lista specyfikacji technicznych

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB

Główna charakterystyka

Other

Opis

PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 PC4-1900, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara

9-9-9-24 / 1600 MHz no data
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)

2764 2387

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns