RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
Compara
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
Puntuación global
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
17.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,123.3
13.0
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
22
59
En -168% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
6400
En 3 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
59
22
Velocidad de lectura, GB/s
4,833.8
17.8
Velocidad de escritura, GB/s
2,123.3
13.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
19200
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
731
3115
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.K8FB 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston KHX2400C15/16G 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Smart Modular SF4641G8CKHIWDFSEG 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
EVGA 8GX-D4-3200-MR 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
SK Hynix GKE800SO51208-2133AH 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB
Elpida EBJ21UE8BDS0-DJ-F 2GB
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston CBD24D4U7S8MA-8 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Corsair CMW128GX4M8C3000C16 16GB
Mushkin 991586 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZKK 16GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEGKSBG 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link