RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
17.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,123.3
13.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
59
Wokół strony -168% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
22
Prędkość odczytu, GB/s
4,833.8
17.8
Prędkość zapisu, GB/s
2,123.3
13.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
731
3115
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Transcend Information TS1GLH64V4B 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C22-32GRS 32GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FJ 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FADP 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kingston 9965639-002.A01G 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Kingston HP32D4U2S8MR-8 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMT16GX4M2Z3200C16 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Apacer Technology 78.D2GF2.4010B 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CMK128GX4M4A2666C16 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link