RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CMK128GX4M4A2666C16 32GB
Porównaj
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Corsair CMK128GX4M4A2666C16 32GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Wynik ogólny
Corsair CMK128GX4M4A2666C16 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
14
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CMK128GX4M4A2666C16 32GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
42
71
Wokół strony -69% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.4
1,322.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CMK128GX4M4A2666C16 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
71
42
Prędkość odczytu, GB/s
2,831.6
14.0
Prędkość zapisu, GB/s
1,322.6
13.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
399
2998
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Corsair CMK128GX4M4A2666C16 32GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GFT 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston 9905624-018.A00G 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C14-4GRK 4GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZR 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CM4X16GE2666Z16K4 16GB
Kingston 99U5458-002.A00LF 2GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHA0 8GB
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FP 16GB
SK Hynix HMT351S6EFR8A-PB 4GB
INTENSO 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Golden Empire CL14-14-14 D4-2400 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link