RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB
Porównaj
PNY Electronics PNY 2GB vs Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB
Wynik ogólny
PNY Electronics PNY 2GB
Wynik ogólny
Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
PNY Electronics PNY 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.8
12.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.4
8.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
PNY Electronics PNY 2GB
Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
27
Prędkość odczytu, GB/s
13.8
12.8
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
8.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2274
2148
PNY Electronics PNY 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CM4X4GF2400Z16K4 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.8FB 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Kingston X5H5PW-MIE 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
INTENSO 5641152 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FHP 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3200C22-8GRS 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link