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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
Comparar
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
17.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,123.3
13.0
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
22
59
Por volta de -168% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
6400
Por volta de 3 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
59
22
Velocidade de leitura, GB/s
4,833.8
17.8
Velocidade de escrita, GB/s
2,123.3
13.0
Largura de banda de memória, mbps
6400
19200
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
731
3115
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Comparações de RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
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G Skill Intl F4-3200C16-8GTZN 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
AMD R744G2133U1S 4GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Corsair CM4X16GC3600C18K2D 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston 9905633-017.A00G 8GB
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