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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB
Compara
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB
Puntuación global
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Puntuación global
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
14.5
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,123.3
13.0
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
59
En -136% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
6400
En 3 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
59
25
Velocidad de lectura, GB/s
4,833.8
14.5
Velocidad de escritura, GB/s
2,123.3
13.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
19200
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
731
3377
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Corsair CM4B8G1J2800K14K 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMK256GX4M8A2400C16 32GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRS 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9965640-004.C00G 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZR 8GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Legend Silicon Corp. ] ] ] ]E6 ] ] ]00 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 9905744-076.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
SK Hynix HMA82GU7AFR8N-UH 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston KHX3200C16D4/32GX 32GB
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