RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB
Сравнить
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB против Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Средняя оценка
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
14.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,123.3
13.0
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
59
Около -136% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
59
25
Скорость чтения, Гб/сек
4,833.8
14.5
Скорость записи, Гб/сек
2,123.3
13.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
731
3377
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C16 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FG 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M16FE 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.M16FAD 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Kingston K821PJ-MIB 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMK4GX4M1A2400C14 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston 9905744-035.A00G 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston 9905744-023.A00G 16GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBD 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
A-DATA Technology DDR4 3600 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Kingston KHX2666C16/16G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link