RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB
Comparez
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB
Note globale
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Note globale
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
14.5
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,123.3
13.0
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
59
Autour de -136% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
6400
Autour de 3 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
59
25
Vitesse de lecture, GB/s
4,833.8
14.5
Vitesse d'écriture, GB/s
2,123.3
13.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
19200
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
731
3377
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Comparaison des RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Corsair CMK8GX4M2B3000C15 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston 99P5723-006.A00G 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Kingston KHX4800C19D4/8GX 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMK16GX4M2E4000C19 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Corsair CM4X8GE2133C13K4 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRS 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200D 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Corsair CMK32GX4M4B4000C19 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMK64GX4M4A2400C14 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Transcend Information JM2666HSB-16G 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link