RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Compara
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Puntuación global
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Puntuación global
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
59
85
En 31% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
11.3
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
6.0
2,123.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
6400
En 3.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
59
85
Velocidad de lectura, GB/s
4,833.8
11.3
Velocidad de escritura, GB/s
2,123.3
6.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
21300
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
731
1118
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston 9905700-024.A00G 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Kingston HP32D4S2S1ME-8 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZKW 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMD64GX4M8A2666C15 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMK16GX4M2K4000C19 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FHD1 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Corsair CMK32GX4M2B3200C16 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston CBD26D4U9S8ME-8 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905700-011.A00G 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link