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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Comparar
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Pontuação geral
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
59
85
Por volta de 31% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
11.3
Valor médio nos testes
Razões a considerar
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Relatar um erro
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
6.0
2,123.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
6400
Por volta de 3.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
59
85
Velocidade de leitura, GB/s
4,833.8
11.3
Velocidade de escrita, GB/s
2,123.3
6.0
Largura de banda de memória, mbps
6400
21300
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
731
1118
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Comparações de RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
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InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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