RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wynik ogólny
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
59
85
Wokół strony 31% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
11.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
6.0
2,123.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
85
Prędkość odczytu, GB/s
4,833.8
11.3
Prędkość zapisu, GB/s
2,123.3
6.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
731
1118
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFX 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
EVGA 8GX-D4-3200-MR 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Avant Technology J641GU42J7240N3 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMK64GX4M4E3200C16 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston XG9XKG-MIE 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Corsair CMK16GX4M2L3200C16 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Corsair CMK32GX4M4A2133C15 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FE 4GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
Samsung M392B1K70DM0-YH9 8GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link