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Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
Compara
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
Puntuación global
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
21.4
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
21
58
En -176% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
19.6
1,950.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
58
21
Velocidad de lectura, GB/s
4,241.0
21.4
Velocidad de escritura, GB/s
1,950.7
19.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
651
4293
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMD32GX4M4B3333C16 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingston 9905713-008.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Kingston 99P5723-006.A00G 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1600C10 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C9 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Roa Logic BV iGame DDR4 8G 3000 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZR 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Essencore Limited IM4AGU88N24-FFFHA0 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Essencore Limited KD44GU481-26N1600 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
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