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Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
比较
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
总分
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
总分
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
21.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
21
58
左右 -176% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
19.6
1,950.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
58
21
读取速度,GB/s
4,241.0
21.4
写入速度,GB/s
1,950.7
19.6
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
651
4293
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Kingston 9905704-007.A00G 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Transcend Information TS1GSH64V1H 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FA 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
Kingston 9905474-019.A00LF 2GB
Corsair CMD32GX4M2A2800C16 16GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHA0 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTRS 8GB
Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB
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AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Corsair CMD16GX4M2B3466C16 8GB
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