RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB
Compara
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB
Puntuación global
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Puntuación global
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
2
16.6
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
46
En -53% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.6
1,519.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
3200
En 8 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
46
30
Velocidad de lectura, GB/s
2,909.8
16.6
Velocidad de escritura, GB/s
1,519.2
13.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
3200
25600
Other
Descripción
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22 24
Tiempos / Velocidad del reloj
3-3-3-12 / 400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
241
3155
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Kingston KV0M5R-MIE 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston KYXC0V-MID 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CM4X8GC3000C15K4 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FB 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston 9905625-030.A00G 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Essencore Limited KD48GU880-32N220T 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BZISHC 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Corsair CMK32GX4M2Z4000C18 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FR 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link