RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB
Confronto
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Punteggio complessivo
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
2
16.6
Valore medio nei test
Motivi da considerare
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
30
46
Intorno -53% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.6
1,519.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
3200
Intorno 8 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
46
30
Velocità di lettura, GB/s
2,909.8
16.6
Velocità di scrittura, GB/s
1,519.2
13.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
3200
25600
Other
Descrizione
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
3-3-3-12 / 400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
241
3155
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Confronto tra le RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4083016A 8GB
Samsung M471B5273CH0-CK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G13332S 4GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Corsair CM4X16GC3000C15K4 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Corsair CMV16GX4M1L2400C16 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-GR26C16S8K2HU416 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZR 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3733 C17 Series 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM8G 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Kingston 9905668-001.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD21G800816 1GB
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C15 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Ramaxel Technology RMUA5110MH78HAF-2666 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link