Comparación de la memoria RAM Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB

Puntuación global

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Puntuación global

Diferencias Especificaciones Comentarios

Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB

Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns

30 46

En -53% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s

12.2 1,519.2

Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps

23400 3200

En 7.31 mayor ancho de banda

Lista completa de especificaciones técnicas

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB

Principales características

Other

Descripción

PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Tiempos / Velocidad del reloj

3-3-3-12 / 400 MHz 19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)

241 2761

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns