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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
Confronto
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Punteggio complessivo
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
2
16.3
Valore medio nei test
Motivi da considerare
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
30
46
Intorno -53% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.2
1,519.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
23400
3200
Intorno 7.31 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
46
30
Velocità di lettura, GB/s
2,909.8
16.3
Velocità di scrittura, GB/s
1,519.2
12.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
3200
23400
Other
Descrizione
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Temporizzazioni / Velocità di clock
3-3-3-12 / 400 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
241
2761
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Confronto tra le RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Corsair CMK64GX4M82800C14 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
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Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB
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