RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
Porównaj
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
16.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
46
Wokół strony -53% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.2
1,519.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
23400
3200
Wokół strony 7.31 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
30
Prędkość odczytu, GB/s
2,909.8
16.3
Prędkość zapisu, GB/s
1,519.2
12.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
3200
23400
Other
Opis
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Taktowanie / szybkość zegara
3-3-3-12 / 400 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
241
2761
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CM4B8G2J2666A15D 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Ramaxel Technology RMSA3310ME96HAF-3200 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Apacer Technology 78.CAGN7.4000C 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMK64GX4M2C3200C16 32GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FP 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston KP6FH5-MIE 32GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Corsair CMK32GX4M4D3200C16 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUC0B 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Corsair CMK8GX4M2B3000C15 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link