Comparación de la memoria RAM Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB

Puntuación global

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB

Puntuación global

Diferencias Especificaciones Comentarios

Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB

Mayor velocidad de lectura, GB/s

4 20.5

Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s

2,168.2 15.5

Valor medio en las pruebas

Razones a tener en cuenta
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB

Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns

31 60

En -94% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps

25600 5300

En 4.83 mayor ancho de banda

Lista completa de especificaciones técnicas

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB

Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB

Principales características

Other

Descripción

PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj

5-5-5-15 / 667 MHz 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)

941 3649

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns