Comparação RAM Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB

Pontuação geral

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB

Pontuação geral

Diferenças Especificações Comentários

Razões a considerar
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB

Velocidade de leitura mais rápida, GB/s

4 20.5

Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s

2,168.2 15.5

Valor médio nos testes

Razões a considerar
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB

Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns

31 60

Por volta de -94% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps

25600 5300

Por volta de 4.83 maior largura de banda

Lista completa de especificações técnicas

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB

Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB

Características principais

Other

Descrição

PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tempos / Velocidade do relógio

5-5-5-15 / 667 MHz 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)

941 3649

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns