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Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Comparar
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Pontuação geral
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
20.5
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,168.2
15.5
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
31
60
Por volta de -94% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
5300
Por volta de 4.83 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
60
31
Velocidade de leitura, GB/s
4,595.2
20.5
Velocidade de escrita, GB/s
2,168.2
15.5
Largura de banda de memória, mbps
5300
25600
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
941
3649
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Comparações de RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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