RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Apacer Technology D12.2356WS.001 8GB
Compara
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB vs Apacer Technology D12.2356WS.001 8GB
Puntuación global
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Puntuación global
Apacer Technology D12.2356WS.001 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
16.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,784.6
13.2
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Apacer Technology D12.2356WS.001 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
65
En -117% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
6400
En 3.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Apacer Technology D12.2356WS.001 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
65
30
Velocidad de lectura, GB/s
4,806.8
16.7
Velocidad de escritura, GB/s
2,784.6
13.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
21300
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
932
3195
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
AMD R332G1339U1S 2GB
Apacer Technology D12.2356WS.001 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKH800UD51208-1600 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Kingston KHYXPX-MID 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FD 8GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVR 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
DSL Memory D4SS12082SH21A-A 8GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBD2 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
King Tiger Technology TMKG8G3000C17(XMP) 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Kingston KHX2400C12D4/8GX 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingston KF3000C16D4/32GX 32GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMD64GX4M4A2666C15 16GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRSB 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link