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Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Corsair CMR64GX4M4C3466C16 16GB
Compara
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB vs Corsair CMR64GX4M4C3466C16 16GB
Puntuación global
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Puntuación global
Corsair CMR64GX4M4C3466C16 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
16.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,784.6
15.8
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Corsair CMR64GX4M4C3466C16 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
33
65
En -97% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Corsair CMR64GX4M4C3466C16 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
65
33
Velocidad de lectura, GB/s
4,806.8
16.7
Velocidad de escritura, GB/s
2,784.6
15.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
932
3461
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
AMD R332G1339U1S 2GB
Corsair CMR64GX4M4C3466C16 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Essencore Limited KD48GU881-26N190D 8GB
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Kingston KHX2400C15S4/4G 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Neo Forza NMUD480E86-3200 8GB
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