RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FE 16GB
Compara
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FE 16GB
Puntuación global
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Puntuación global
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FE 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
15.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,622.0
14.3
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FE 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
37
77
En -108% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
5300
En 4.02 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FE 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
77
37
Velocidad de lectura, GB/s
3,405.2
15.8
Velocidad de escritura, GB/s
2,622.0
14.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
21300
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
763
3373
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparaciones de la memoria RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FE 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD416E82-4400G 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AZC0B 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMK64GX4M8X4133C19 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKY 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZN 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905599-029.A00G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CM4X16GE2666C18S2 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FHP 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2400 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CM4X4GF2666Z16K4 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMK8GX4M1Z3600C18 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15/8G 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link