RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FE 16GB
Comparar
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FE 16GB
Pontuação geral
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Pontuação geral
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FE 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
15.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,622.0
14.3
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FE 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
37
77
Por volta de -108% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
5300
Por volta de 4.02 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FE 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
77
37
Velocidade de leitura, GB/s
3,405.2
15.8
Velocidade de escrita, GB/s
2,622.0
14.3
Largura de banda de memória, mbps
5300
21300
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
763
3373
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparações de RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FE 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Corsair CMT32GX4M2C3200C14 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C14 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Samsung M386A8K40CM2-CRC 64GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Visiontek Products LLC F6451U67F9333G 4GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FD 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston 9905700-072.A01G 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FBD 8GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTVS 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266641 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link