RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M8FB1 16GB
Compara
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M8FB1 16GB
Puntuación global
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Puntuación global
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M8FB1 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
16.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,622.0
13.2
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M8FB1 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
77
En -157% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
5300
En 4.02 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M8FB1 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
77
30
Velocidad de lectura, GB/s
3,405.2
16.9
Velocidad de escritura, GB/s
2,622.0
13.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
21300
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
763
3462
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparaciones de la memoria RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M8FB1 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZRC 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMB 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M8FB1 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZ 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Apacer Technology 78.CAGR4.DFC0B 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
A-DATA Technology AM2P26KC8T1-BXRS 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Avant Technology J641GU48J5213NG 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMK32GX4M1D3000C16 32GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3000D464L16S/8G 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link