RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M8FB1 16GB
Compara
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Crucial Technology BL16G36C16U4B.M8FB1 16GB
Puntuación global
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Puntuación global
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M8FB1 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
19.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,622.0
16.2
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M8FB1 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
77
En -175% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
5300
En 4.02 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M8FB1 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
77
28
Velocidad de lectura, GB/s
3,405.2
19.9
Velocidad de escritura, GB/s
2,622.0
16.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
21300
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
763
3886
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparaciones de la memoria RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M8FB1 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M8FB1 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMK64GX4M4X4000C18 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CM4X8GE2666C16K8 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Corsair CMK32GX4M2A2400C16 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Corsair CMK8GX4M1D3000C16 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Corsair CMU32GX4M4D3000C16 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Kingston KHYXPX-MID 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAS 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link