RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M8FB1 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Crucial Technology BL16G36C16U4B.M8FB1 16GB
Gesamtnote
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Gesamtnote
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M8FB1 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
19.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,622.0
16.2
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M8FB1 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
77
Rund um -175% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
5300
Rund um 4.02 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M8FB1 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
77
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,405.2
19.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,622.0
16.2
Speicherbandbreite, mbps
5300
21300
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
763
3886
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB RAM-Vergleiche
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M8FB1 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Corsair CMW64GX4M4C3200C16 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston KHX2133C14S4/16G 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Apacer Technology 78.CAGPP.ARC0B 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Avant Technology J641GU42J5213N0 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZR 32GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Mushkin 99[2/7/4]191[F/T] 4GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C15 Series 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Corsair CM4S16GL3200K18K2 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBR2 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston KGTWW1-MIE 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link